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BUK761R6-40E,118相關(guān)型號

  • PZU24BA,115

    穩(wěn)壓二極管 40W SGL 200mA 25.57V Single Zener diodes

  • PZU2.4BA,115

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  • PZU5.6BA,115

    穩(wěn)壓二極管 40W SNGL 200mA 5.92V Single Zener diodes

  • PZU5.1BA,115

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Nexperia(安世半導(dǎo)體)熱銷型號

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    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PUMH14,115

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  • PUMD30,115

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PDTC143XM,315

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 TRANS RET TAPE-7

  • PDTC114EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTC114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC144EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTC144EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTA114EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTA114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC124EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTC124EQA/DFN1010D-3/REEL 7

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • BUK761R6-40E,118

  • 制造商：Nexperia
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Nexperia
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-263-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:120 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.57 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:145 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:349 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標:Nexperia
  • 下降時間:83 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:60 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:800
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:121 ns
  • 典型接通延遲時間:42 ns
  • 單位重量:4 g

其它信息

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