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PSMN011-30YLC,115相關(guān)型號(hào)

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Nexperia(安世半導(dǎo)體)熱銷型號(hào)

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  • PUMH14,115

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PUMD30,115

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PDTC143XM,315

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 TRANS RET TAPE-7

  • PDTC114EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTC114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC144EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTC144EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTA114EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTA114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC124EQAZ

    雙極晶體管 - 預(yù)偏置 PDTC124EQA/DFN1010D-3/REEL 7

圖片僅供參考，請(qǐng)參考產(chǎn)品描述

  • PSMN011-30YLC,115

  • 制造商：Nexperia
  • 批號(hào)：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 30 V 11.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細(xì)參數(shù)

  • 制造商:Nexperia
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:LFPAK56-5
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:37 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.6 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:1.05 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
  • Qg-柵極電荷:10.3 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:29 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類型:1 N-Channel MOSFET
  • 商標(biāo):Nexperia
  • 下降時(shí)間:6.6 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:12.7 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:1500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16.8 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:13.4 ns
  • 單位重量:506.600 mg

其它信息

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