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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • PSMN8R5-100ESQ

  • 制造商：Nexperia
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Nexperia
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-262-3
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:100 A
  • Rds On-漏源導通電阻:22.6 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
  • Qg-柵極電荷:111 nC
  • Pd-功率耗散:263 W
  • 封裝:Tube
  • 商標:Nexperia
  • 下降時間:43 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:35 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:50
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:87 ns
  • 典型接通延遲時間:20 ns
  • 單位重量:2.387 g

其它信息

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