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PMZB350UPE,315相關型號
Nexperia(安世半導體)熱銷型號

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圖片僅供參考，請參考產品描述

  • PMZB350UPE,315

  • 制造商：Nexperia
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Nexperia
  • 產品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:DFN-1006B-3
  • 通道數(shù)量:2 Channel
  • 晶體管極性:P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:1.4 A
  • Rds On-漏源導通電阻:940 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:450 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
  • Qg-柵極電荷:1.3 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:715 mW
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類型:2 P-Channel
  • 商標:Nexperia
  • 正向跨導 - 最小值:1.4 S
  • 下降時間:9 ns
  • 產品類型:MOSFET
  • 上升時間:5 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:10000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:26 ns
  • 典型接通延遲時間:4 ns
  • 單位重量:0.690 mg

其它信息

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