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PMDPB85UPE,115相關型號
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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • PMDPB85UPE,115

  • 制造商：Nexperia
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET PMDPB85UPE/HUSON6/REEL 7" Q1/T
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Nexperia
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:DFN-2020-6
  • 通道數(shù)量:2 Channel
  • 晶體管極性:P-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:3.7 A
  • Rds On-漏源導通電阻:82 mOhms, 82 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:950 mV
  • Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
  • Qg-柵極電荷:8.1 nC, 8.1 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1.17 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 晶體管類型:2 P-Channel
  • 商標:Nexperia
  • 正向跨導 - 最小值:6 S, 6 S
  • 下降時間:21 ns, 21 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:12 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:47 ns, 47 ns
  • 典型接通延遲時間:6 ns, 6 ns

其它信息

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