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PSMN6R3-120ESQ相關型號
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圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • PSMN6R3-120ESQ

  • 制造商：Nexperia
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Nexperia
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術:Si
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-262-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:120 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:70 A
  • Rds On-漏源導通電阻:6.7 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:207.1 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:405 W
  • 配置:Single
  • 封裝:Tube
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標:Nexperia
  • 下降時間:67.7 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:58.2 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:50
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:142.1 ns
  • 典型接通延遲時間:42.1 ns
  • 單位重量:2.387 g

其它信息

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